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AON6528

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描述: 这款N沟道场效应管具备60A漏极电流与30V漏源耐压能力，导通电阻仅为4.3毫欧，栅源电压耐受值为20V。低阻抗特性显著降低导通损耗，适用于大电流负载开关、直流电源转换及电池保护电路。其参数配置支持高频切换操作，有助于优化系统热性能并提升整体能效，常见于高性能计算设备供电及便携式储能装置中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AON6528
商品编号: C54582697
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

AON6528采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具有更好的耐用性和适用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用