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AOD2910E

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为40安培，漏源击穿电压达100伏，导通电阻典型值为20毫欧。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元，能有效提升系统效率并降低热设计难度。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AOD2910E
商品编号: C54582693
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.392克(g)

商品参数

AOD2910E采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具有更好的耐用性。