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AOB66935L
AOB66935L
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备260安培连续漏极电流与100伏漏源耐压，导通电阻低至2.4毫欧，栅源电压耐受值为20伏。极低内阻显著降低大电流通路损耗，适用于高密度电源模块、大功率电机驱动及储能系统逆变环节，可优化热管理设计并提升整体能效表现。
- 商品型号
- AOB66935L
- 商品编号
- C54582694
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF |
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