DMP3018SFVQ-7-HXY

DMP3018SFVQ-7-HXY

描述

该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V，最大连续漏极电流达55A，导通电阻典型值为8毫欧。低导通电阻特性有助于降低功率损耗与温升，提升电路能效。器件适用于电池保护模块、负载开关及便携式设备的电源管理回路，能够在紧凑空间内提供稳定的功率切换控制，满足消费电子对高效能与小体积的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMP3018SFVQ-7-HXY

商品编号

C54582687

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)