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AON6516
AON6516
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源电压耐受范围达20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如服务器电源模块、电池管理系统及电机驱动电路。其快速开关能力可提升能量转换效率，适合高频PWM控制应用，在通信设备供电和消费电子功率级设计中表现稳定可靠。
- 商品型号
- AON6516
- 商品编号
- C54582690
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179592克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
AON6516采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 60A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5.8mΩ
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用