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AOB66914L
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为100V，最大连续漏极电流达260A，导通电阻低至2.4mΩ，栅源电压耐受值为20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大功率直流电源、电机驱动及储能系统中的开关模块，能有效降低系统热耗散，满足高密度功率转换场景对效率与稳定性的严苛要求。
- 商品型号
- AOB66914L
- 商品编号
- C54582689
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AOB66914L采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。封装形式为TO - 263。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 260A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4.2mΩ
- 引脚3为源极（S），N沟道MOSFET
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用