AOB66914L
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压为100V，最大连续漏极电流达260A，导通电阻低至2.4mΩ，栅源电压耐受值为20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大功率直流电源、电机驱动及储能系统中的开关模块，能有效降低系统热耗散，满足高密度功率转换场景对效率与稳定性的严苛要求。
- 商品型号
- AOB66914L
- 商品编号
- C54582689
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中