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HAT1047RWS-E-HXY
HAT1047RWS-E-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V，最大连续漏极电流为12A，导通电阻为10毫欧。其参数设计旨在平衡电流承载能力与导通损耗，适用于中等功率负载场景。器件常用于电池组保护电路、便携式设备的电源路径管理及电子开关应用，能够在有限空间内实现高效的功率控制与热管理，满足消费类电子产品对稳定性的要求。
- 商品型号
- HAT1047RWS-E-HXY
- 商品编号
- C54582688
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
HAT1047RWS - E采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -12A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源