HAT1047RWS-E-HXY
HAT1047RWS-E-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压为30V，最大连续漏极电流为12A，导通电阻为10毫欧。其参数设计旨在平衡电流承载能力与导通损耗，适用于中等功率负载场景。器件常用于电池组保护电路、便携式设备的电源路径管理及电子开关应用，能够在有限空间内实现高效的功率控制与热管理，满足消费类电子产品对稳定性的要求。
- 商品型号
- HAT1047RWS-E-HXY
- 商品编号
- C54582688
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中