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DMP3018SFVQ-13-HXY
DMP3018SFVQ-13-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源击穿电压，最大连续漏极电流达55A，导通电阻低至8毫欧。凭借低导通损耗特性，器件在电池保护、负载开关及电源管理电路中表现优异。其参数设计有助于提升系统能效，减少发热，适用于对空间与热性能有严格要求的便携式设备及消费类电子产品的功率控制环节。
- 商品型号
- DMP3018SFVQ-13-HXY
- 商品编号
- C54582686
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
DMP3018SFVQ - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -55A
- RDS(ON) < 11mΩ（在VGS = -10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源