SI4812BDY-T1-GE3-HXY

SI4812BDY-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管额定漏源电压为30V，连续漏极电流达8.5A，导通电阻典型值为14mΩ。低导通阻抗有助于减少功率损耗并改善热表现。适用于笔记本电脑主板供电、便携式设备负载开关及电池管理电路，在紧凑设计中提供可靠的电流控制与高效的电源切换性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI4812BDY-T1-GE3-HXY

商品编号

C54582678

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)