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AOD512
AOD512
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏极电流达150安培，漏源击穿电压30伏，导通电阻仅1.5毫欧，栅源电压耐受值为20伏。器件凭借极低内阻与大电流承载能力，适用于高密度电源转换、服务器供电模块及大功率电池管理系统。在需要高效能切换的直流负载场景中，其低损耗特性显著降低温升，满足高性能计算设备对稳定供电与紧凑散热的严苛要求。
- 商品型号
- AOD512
- 商品编号
- C54582681
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.272nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.022nF |
商品概述
AOD512采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 150A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.9mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源