温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4427BDY-T1-GE3-HXY
SI4427BDY-T1-GE3-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该P沟道场效应管漏源电压为30V，连续漏极电流15A，导通电阻7.5毫欧，栅源电压耐受值20V。器件凭借低导通损耗与适中的电压等级，适用于笔记本电脑电池保护、便携式设备负载开关及直流电源管理电路。在空间受限的供电切换应用中，其参数特性有助于优化系统效率并控制温升，确保大电流路径下的稳定工作。
- 商品型号
- SI4427BDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582669
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
SI4427BDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -15A
- RDS(ON) < 10mΩ（@ VGS = -10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- IRL6342TRPBF-HXY
- RSS090P03TB-HXY
- STS10PF30L-HXY
- SI4812BDY-T1-E3-HXY
- IRLR8743PBF-HXY
- DMG4435SSS-13-HXY
- RSS090P03FU6TB-HXY
- IRF7424GTRPBF-HXY
- SI4812BDY-T1-GE3-HXY
- IRF9392PBF-HXY
- IRF9392TRPBF-HXY
- IRLR8743TRLPBF-HXY
- ZXMP3F35N8TA-HXY
- RSS090P03FU7TB-HXY
- SI4776DY-T1-GE3-HXY
- DMP3018SFVQ-13-HXY
- DMP3018SFVQ-7-HXY
- HAT1047RWS-E-HXY
- AOB66914L
- AON6516
- AON6552