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RSS090P03TB-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为12A，漏源击穿电压30V，导通电阻典型值10mΩ。器件在低栅极驱动电压下即可实现高效导通，显著降低传导损耗与温升。适用于电池保护电路、负载开关及便携式设备电源管理模块，满足对空间紧凑与高能效有严格要求的消费类电子应用场景。
- 商品型号
- RSS090P03TB-HXY
- 商品编号
- C54582671
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
RSS090P03TB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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