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DMG4435SSS-13-HXY实物图
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DMG4435SSS-13-HXY

DMG4435SSS-13-HXY

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描述
该P沟道场效应管漏极电流为11A,漏源击穿电压30V,导通电阻13毫欧。作为高侧开关元件,其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。在低压直流系统中,该器件能有效控制电流流向,配合N沟道器件构建同步整流拓扑,优化电路板空间布局,满足消费电子对功耗与集成度的严格要求。
商品型号
DMG4435SSS-13-HXY
商品编号
C54582675
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

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