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DMG4435SSS-13-HXY
DMG4435SSS-13-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管漏极电流为11A，漏源击穿电压30V，导通电阻13毫欧。作为高侧开关元件，其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。在低压直流系统中，该器件能有效控制电流流向，配合N沟道器件构建同步整流拓扑，优化电路板空间布局，满足消费电子对功耗与集成度的严格要求。
- 商品型号
- DMG4435SSS-13-HXY
- 商品编号
- C54582675
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |