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IRLR8743PBF-HXY
IRLR8743PBF-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为150A，漏源击穿电压30V，导通电阻低至1.5毫欧，栅源电压耐受20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。器件在高频切换下保持优异热稳定性，适合对效率要求严苛的电力转换应用，满足紧凑型设计需求。
- 商品型号
- IRLR8743PBF-HXY
- 商品编号
- C54582674
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.272nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 718pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.022nF |