SI4812BDY-T1-E3-HXY

SI4812BDY-T1-E3-HXY

描述

该N沟道场效应管额定漏极电流为8.5A，漏源击穿电压30V，导通电阻典型值14mΩ。低导通阻抗特性有效降低了开关过程中的传导损耗，提升了整体能效表现。器件适用于服务器主板供电模块、显卡核心电压调节及高性能计算设备电源管理，满足对高电流密度与热稳定性有严格要求的消费类电子应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI4812BDY-T1-E3-HXY

商品编号

C54582673

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)