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SI4354DY-T1-GE3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏源电压为30V，连续漏极电流达8.5A，导通电阻典型值为14毫欧。此参数组合旨在优化中低电压下的导通损耗，减少发热。器件适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备负载开关及低压直流电机驱动等场景。在空间受限的电路板设计中，其电气特性有助于提升整体能效，确保系统在持续运行中的热稳定性与可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4354DY-T1-GE3-HXY
商品编号: C54582664
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

SI4354DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。