SI4354DY-T1-GE3-HXY
SI4354DY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏源电压为30V，连续漏极电流达8.5A，导通电阻典型值为14毫欧。此参数组合旨在优化中低电压下的导通损耗，减少发热。器件适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备负载开关及低压直流电机驱动等场景。在空间受限的电路板设计中，其电气特性有助于提升整体能效，确保系统在持续运行中的热稳定性与可靠性。
- 商品型号
- SI4354DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582664
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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