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SI4354DY-T1-E3-HXY
SI4354DY-T1-E3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V漏源击穿电压，支持8.5A连续漏极电流。其导通电阻为14毫欧，在中等电流应用中能有效平衡导通损耗与热管理需求。器件适用于便携式设备电源、消费类电子负载开关及低压电机驱动电路。在高频率切换环境下，该参数组合有助于优化系统能效，确保在紧凑空间内实现稳定的功率传输与控制，满足各类电子设备对小型化与高效率的设计要求。
- 商品型号
- SI4354DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C54582663
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144898克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品概述
SI4354DY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 8.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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