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NDS8410-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源击穿电压（VDSS），支持8.5A连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）为14毫欧，有助于降低导通状态下的功率损耗。此器件适用于笔记本电脑主板供电、电池保护电路及便携式设备的负载开关应用。在空间紧凑的消费电子电源管理设计中，它能实现高效的电流控制，帮助系统在有限体积内优化热性能并保持稳定的电气特性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NDS8410-HXY
商品编号: C54582667
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.146克(g)

商品参数

NDS8410采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。