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SI4825DY-T1-GE3-HXY
SI4825DY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）达11A。其核心优势在于13毫欧的低导通电阻（RDON），能显著降低工作时的功率损耗与发热量。该器件主要应用于电池保护电路、便携式设备的负载开关以及直流电源管理模块。在空间受限的消费类电子设计中，它能提供高效的电流切换控制，确保系统在紧凑布局下维持稳定的电气性能与热平衡。
- 商品型号
- SI4825DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582666
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
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