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AO4433
AO4433
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具备12A连续漏极电流与30V漏源耐压能力，导通电阻典型值为10mΩ。其低阻抗特性有助于降低导通损耗，提升系统能效。器件适用于电池管理、便携式设备电源切换、负载开关及直流电机驱动等场景，在空间受限且对热性能有要求的电路设计中，可提供稳定的电流控制与电压反转功能。
- 商品型号
- AO4433
- 商品编号
- C54582659
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
AO4433采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -12A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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