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AO4427
AO4427
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为12A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅10毫欧。器件凭借低导通损耗特性，适用于电池保护电路、便携式设备电源管理及负载开关应用。在直流电机驱动与电压调节模块中，其低内阻有助于提升系统能效，满足消费电子对紧凑布局与热管理的设计需求。
- 商品型号
- AO4427
- 商品编号
- C54582660
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
AO4427采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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