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DI028P03PT-HXY

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描述: 该P沟道场效应管漏极电流达70A，漏源耐压30V，导通电阻仅6.5毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件凭借大电流承载与极低内阻特性，适用于高密度电池储能系统、服务器电源管理及大功率负载开关。在多相电压调节与直流电机驱动应用中，其低损耗表现有助于优化热设计，满足高性能计算设备对紧凑布局与能效的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI028P03PT-HXY
商品编号: C54582661
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

DI028P03PT采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。