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DMTH3002LK3-13-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备30V漏源击穿电压与20V栅源电压耐受能力。其核心特性在于低至1.5毫欧的导通电阻，支持高达150A的连续漏极电流，显著降低传导损耗。器件适用于大电流开关场景，如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路，能够在高负载条件下实现高效电能控制与快速响应，确保系统运行的稳定性与能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH3002LK3-13-HXY
商品编号: C54582662
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.394克(g)

商品参数

DMTH3002L 3 - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。