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BUK6Q8R2-30PJ-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为70安培，漏源击穿电压30伏，导通电阻仅6.5毫欧，栅源电压耐受值达20伏。低内阻设计有效降低导通损耗，适用于大电流负载开关、电池管理系统及高密度电源模块。其高电流承载能力与宽栅压范围，使其在服务器供电、高性能计算设备及便携式储能装置等直流控制场景中，能确保电路在重载条件下稳定高效运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BUK6Q8R2-30PJ-HXY
商品编号: C54582658
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

BUK6Q8R2 - 30PJ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。