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SI7153DN-T1-GE3-HXY
SI7153DN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）最大漏极电流为55A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅8毫欧。低导通损耗特性使其在低压大电流场景中表现优异，适用于电池保护、负载开关及电源管理模块。其紧凑设计利于优化电路板布局，满足消费电子与便携设备对高效能功率器件的需求，确保系统在动态负载下稳定运行。
- 商品型号
- SI7153DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582644
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
SI7153DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -55A
- 在栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 11mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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