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SI4425BDY-T1-E3-HXY
SI4425BDY-T1-E3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流12A，漏源击穿电压30V，导通电阻典型值10mΩ。器件在低压环境下表现出稳定的开关特性与低导通损耗，适用于便携式设备的电源路径管理、电池保护电路及负载切换应用。其紧凑的电气性能适合集成于智能手机、平板电脑及可穿戴产品中，满足对能效比和空间布局有严格要求的消费类电子设计需求。
- 商品型号
- SI4425BDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C54582655
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 233pF |
商品概述
SI4425BDY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为SOP - 8。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -12A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- P沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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