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IRF9393TRPBFXTMA1-HXY
IRF9393TRPBFXTMA1-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为11安培，漏源击穿电压30伏，导通电阻13毫欧。器件凭借较低的导通阻抗，适用于电池组保护电路、便携式设备负载开关及电源管理模块。在消费电子系统中，它能有效降低通路压降与功率损耗，提升供电效率，满足对紧凑型高效能开关元件的应用需求。
- 商品型号
- IRF9393TRPBFXTMA1-HXY
- 商品编号
- C54582651
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144898克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
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