温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP3018SSS-13-HXY
DMP3018SSS-13-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该P沟道场效应管漏源电压额定值为30V，连续漏极电流达15A，最大栅源电压为20V，导通电阻低至7.5mΩ。器件在30V以下电压平台中表现出低损耗特性，适用于笔记本电脑主板、手持终端及便携设备的电源切换与电池保护电路。其低内阻有助于减少发热，提升系统能效，常用于对空间布局敏感的消费电子类产品功率管理环节。
- 商品型号
- DMP3018SSS-13-HXY
- 商品编号
- C54582646
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
DMP3018SSS - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -15A
- 在栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- RRS090P03HZGTB-HXY
- NVTFWS012P03P8ZTAG-HXY
- IRF9393TRPBFXTMA1-HXY
- SI4425BDY-T1-E3-HXY
- SI4425BDY-T1-GE3-HXY
- PXP9R1-30QLJ-HXY
- AO4433
- AO4427
- SI4354DY-T1-E3-HXY
- SI4354DY-T1-GE3-HXY
- SI4825DY-T1-E3-HXY
- SI4825DY-T1-GE3-HXY
- NDS8410-HXY
- NVTFS012P03P8ZTAG-HXY
- SI4427BDY-T1-GE3-HXY
- IRL6342TRPBF-HXY
- RSS090P03TB-HXY
- STS10PF30L-HXY
- SI4812BDY-T1-E3-HXY
- IRLR8743PBF-HXY
- DMG4435SSS-13-HXY