温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

RQ3E100ATTB-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）具备55A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为30V，导通电阻低至8毫欧。低阻抗特性有效降低导通损耗与温升，适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。其参数配置契合低压大电流应用场景，能够支持消费电子与便携设备中的高效功率切换，确保系统在动态负载条件下维持稳定运行与可靠性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RQ3E100ATTB-HXY
商品编号: C54582645
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

RQ3E100ATTB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。