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IPD023N03LF2SATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为150A，漏源击穿电压30V，导通电阻低至1.5毫欧，栅源电压耐受范围达20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。器件在高频切换下保持热稳定性，适合对效率要求严苛的电力转换设计，满足紧凑型布局需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD023N03LF2SATMA1-HXY
商品编号: C54582650
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.418367克(g)

商品参数

IPD023N03LF2SATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。