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IRLR8743TRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源击穿电压（VDSS），支持高达150A的连续漏极电流（ID），栅源耐压值为20V。其导通电阻（RDON）仅为1.5毫欧，极大降低了大电流通路中的功率损耗与温升。凭借超高电流密度与极低内阻特性，该器件适用于高性能电池组保护、大功率直流电机驱动及服务器电源转换模块，能够在紧凑封装下实现高效的电能传输与精准负载控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRLR8743TRPBF-HXY
商品编号: C54582653
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

IRLR8743TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。