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UPA2814T1S-E2-AT-HXY

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描述: 该P沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为30V，最大连续漏极电流达70A，栅源电压耐受值为20V。其导通电阻低至6.5毫欧，显著减少大电流下的功率损耗与发热。凭借高电流承载能力与低内阻特性，该器件适用于高性能电池管理系统、大功率负载开关及服务器电源模块，能够在高密度电路板中提供稳定的电流控制与优异的热效率表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: UPA2814T1S-E2-AT-HXY
商品编号: C54582652
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

UPA2814T1S-E2-AT采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。