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DI050P03PT-AQ-HXY

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描述: 该P沟道场效应管具备70A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为30V，导通电阻典型值6.5毫欧，栅源电压耐受范围达20V。低导通损耗特性使其适用于大电流负载开关、电池组保护及电源极性防反接电路。在便携式设备供电管理或直流电机驱动中，该器件能有效降低热耗散，提升系统能效，满足紧凑型电路板对高功率密度元件的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI050P03PT-AQ-HXY
商品编号: C54582649
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.096克(g)

商品参数

DI050P03PT - AQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。