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RQ3E120ATTB-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为70A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅6.5mΩ，栅源电压耐受值20V。器件适用于低压大电流开关电路、电池管理系统及直流负载控制模块。其极低内阻显著降低导通损耗与温升，支持高效功率切换，广泛用于便携式设备、服务器电源及通信基础设施等对能效和空间布局有严格要求的电子应用中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RQ3E120ATTB-HXY
商品编号: C54582641
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

RQ3E120ATTB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。