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SIS427EDN-T1-GE3-HXY
SIS427EDN-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管最大漏极电流为55A，漏源击穿电压为30V，导通电阻低至8mΩ。器件专为低压大电流应用设计，适用于电池保护电路、负载开关及直流电源管理模块。其低内阻特性有效减少导通损耗与发热，支持高效功率传输，适合便携式设备、通信终端及消费电子中对空间与能效有严格要求的电路场景。
- 商品型号
- SIS427EDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582640
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089583克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 346pF |
商品概述
SIS427EDN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -55A
- RDS(ON) < 11mΩ（@ VGS = -10V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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