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IRFB9N65APBF-BE3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为10A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为860mΩ，栅源耐压支持±30V。器件适用于高压开关拓扑，如离线式电源适配器和照明驱动电路，能在高电压环境下实现高效电能转换与信号控制，满足对静态损耗和动态响应有严格要求的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFB9N65APBF-BE3-HXY
商品编号: C54582636
商品封装: TO-220H
包装方式: 管装
商品毛重: 3.016克(g)

商品参数

IRFB9N65APBF - BE3可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220H，符合RoHS标准。

适配器和充电器的电源开关电路。