温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SPA04N60C3XKSA1-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为10A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为860mΩ。器件适用于高压开关拓扑，如离线式电源适配器和照明驱动电路，能在高电压环境下实现高效电能转换。其参数特性有助于降低导通损耗，满足对静态功耗和动态响应有严格要求的电子设备设计需求，适合各类消费类高压应用方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SPA04N60C3XKSA1-HXY
商品编号: C54582637
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.776克(g)

商品参数

SPA04N60C3XKSA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。

适配器和充电器的电源开关电路。