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IPA65R420CFDXKSA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为380mΩ。器件凭借高耐压与大电流处理能力，适用于大功率开关电源、光伏逆变器及电机驱动系统。其低导通损耗特性有助于提升电能转换效率，确保在高压工况下实现稳定的信号切换与能量传输控制，满足各类高性能电力电子应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPA65R420CFDXKSA1-HXY
商品编号: C54582638
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.748克(g)

商品参数

IPA65R420CFDXKSA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。

适配器和充电器的功率开关电路。