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STP9N65M2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏源电压650V，连续漏极电流10A，导通电阻860mΩ，栅源电压耐受值30V。器件凭借高压阻断能力与明确的栅极驱动规格，适用于各类离线式开关电源及高压功率转换电路。其参数组合旨在界定安全工作区与导通损耗特性，适合构建高可靠性功率级，满足复杂电气环境下的稳定运行需求，为系统设计提供精确的功率控制基础。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STP9N65M2-HXY
商品编号: C54582632
商品封装: TO-220H
包装方式: 管装
商品毛重: 3.016克(g)

商品参数

STP9N65M2可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220H，符合RoHS标准。