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STP8NM60-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压（VDSS）为650V，支持10A连续漏极电流（ID），栅源电压（VGS）耐受值为30V。其导通电阻（RDON）为860mΩ，适用于中高电压下的功率开关场景。器件常用于开关电源、适配器及照明驱动电路，能在高耐压条件下实现稳定的电流控制与信号切换，满足通用电子设备对功率转换效率的基础需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STP8NM60-HXY
商品编号: C54582634
商品封装: TO-220H
包装方式: 管装
商品毛重: 3.012克(g)

商品参数

STP8NM60可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220H，符合RoHS标准。