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SPP04N60C3HKSA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管漏源击穿电压为650V，连续漏极电流达10A，导通电阻典型值860mΩ，栅源电压耐受范围±30V。器件凭借高压耐受能力与明确的栅极驱动规格，适用于各类高压开关电源及功率转换拓扑。其参数配置旨在平衡耐压等级与导通特性，适合构建高可靠性功率级，满足复杂电气环境下的稳定运行需求，为系统设计提供精确的功率控制基础。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SPP04N60C3HKSA1-HXY
商品编号: C54582631
商品封装: TO-220H
包装方式: 管装
商品毛重: 3.070833克(g)

商品参数

SPP04N60C3HKSA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220H，符合RoHS标准。

适配器和充电器的功率开关电路。