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IPA65R1K0CEXKSA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压应力。其连续漏极电流（ID）为10A，适用于中等功率的开关电路。器件导通电阻（RDON）为860mΩ，在特定工况下影响导通损耗与热管理设计。该产品主要应用于各类电源转换模块、照明驱动电路及电机控制单元中，作为关键的功率开关元件，实现电能的高效通断控制与信号调节功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPA65R1K0CEXKSA1-HXY
商品编号: C54582626
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.8克(g)

商品参数

IPA65R1K0CEXKSA1可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。