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R6504ENXC7G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为650V，适用于高压开关场景。其连续漏极电流（ID）为10A，可承载中等功率负载。器件导通电阻（RDON）为860mΩ，该数值直接影响导通损耗及散热设计。产品主要应用于开关电源、适配器及照明驱动电路中，作为核心功率开关元件，负责电路的通断控制与能量转换，满足各类电子设备对高压功率管理的技术需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: R6504ENXC7G-HXY
商品编号: C54582628
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.748克(g)

商品参数

R6504KNXC7G可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。