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R6504KNXC7G-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为650V，能够适应高压电路环境。其连续漏极电流（ID）额定值为10A，支持中等功率负载的通断需求。器件导通电阻（RDON）为860mΩ，这一参数直接决定了导通状态下的功率损耗与温升表现。该产品常用于开关电源适配器、LED照明驱动及各类消费类电子设备的功率级电路中，作为核心开关元件执行高效的电能转换与控制任务。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: R6504KNXC7G-HXY
商品编号: C54582627
商品封装: TO-220F
包装方式: 管装
商品毛重: 2.732克(g)

商品参数

R6504KNXC7G可用于各种电源开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。