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STD30N10F7-HXY
STD30N10F7-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流承载能力，漏源击穿电压为100V，导通电阻低至20毫欧。器件凭借低内阻特性，显著降低导通损耗与热积累，适用于大电流直流电源转换、高性能电机驱动及储能系统功率级电路。其参数设计聚焦于提升开关效率，满足各类电子设备在高负载工况下对功率元器件的稳定性与能效要求。
- 商品型号
- STD30N10F7-HXY
- 商品编号
- C54582610
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
STD30N10F7采用先进的SGT MOSFET技术，以提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 40A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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