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SIHA15N50E-GE3-HXY
SIHA15N50E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流，导通电阻典型值为260mΩ，栅源耐压可达30V。其高耐压特性适用于高压开关电源及逆变器拓扑，低导通损耗有助于提升电能转换效率。器件在电机驱动、照明镇流器及储能变流系统中表现稳定，能够承受高频开关应力，满足严苛的电气性能需求，是构建高效功率级电路的关键组件。
- 商品型号
- SIHA15N50E-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582622
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
SIHA15N50E-GE3可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 500V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 0.3Ω
应用领域
适配器和充电器的功率开关电路。
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