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IXTP5N50P-HXY
IXTP5N50P-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源击穿电压，连续漏极电流为4.5A，导通电阻典型值1200mΩ，栅源耐压30V。其高耐压特性与中等电流规格，使其适用于离线式开关电源、适配器及照明驱动等高压开关场景。器件设计侧重于在高压电路中实现稳定的电压阻断与信号切换，满足各类电源转换系统对基础开关元件的参数需求。
- 商品型号
- IXTP5N50P-HXY
- 商品编号
- C54582625
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
IXTP5N50P可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220C，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V，ID = 4.5A
- RDS(ON) < 1.5Ω@ VGS = 10V
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
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