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STF13NM50N-HXY
STF13NM50N-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备500V漏源击穿电压与20A连续漏极电流承载能力，导通电阻典型值为260mΩ，栅源极耐受电压可达30V。器件凭借高耐压特性与低导通损耗，适用于高压电源转换、电机驱动控制及照明镇流器等场景。其参数设计旨在满足高能效开关需求，在各类电力电子系统中实现稳定的电流管理与信号切换功能。
- 商品型号
- STF13NM50N-HXY
- 商品编号
- C54582624
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
STF13NM50N可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 500V，漏极电流（ID） = 20A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 0.3Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
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