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FQP5N50C-HXY
FQP5N50C-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A，漏源击穿电压达500V，导通电阻典型值为1200毫欧，栅源电压耐受范围至30V。器件适用于高压开关及功率转换场景，如照明驱动、适配器电源及电机控制电路。其参数设计兼顾耐压与导通特性，适合在需要高效能开关表现的电子设备中作为核心功率控制元件使用。
- 商品型号
- FQP5N50C-HXY
- 商品编号
- C54582619
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
FQP5N50C可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220C，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V，ID = 4.5A
- RDS(ON) < 1.5Ω@ VGS = 10V
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
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