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FDP5N50-HXY
FDP5N50-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备500V漏源击穿电压与4.5A连续漏极电流，导通电阻为1200毫欧，栅源耐压上限30V。器件凭借高耐压特性，适用于高压开关电源、LED照明驱动及适配器电路。在功率转换环节中，其参数组合可支持高效的开关操作，满足各类电子设备对功率控制元件在耐压与电流承载方面的基础需求。
- 商品型号
- FDP5N50-HXY
- 商品编号
- C54582620
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.132克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
FDP5N50可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220C，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V，ID = 4.5A
- RDS(ON) < 1.5Ω，@ VGS = 10V
应用领域
适配器和充电器的电源开关电路。
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